1. 化学成分与纯度
绿碳化硅（SiC）
纯度更高（通常≥99%），杂质（如游离碳、金属氧化物等）含量极低。
晶体结构更均匀，碳硅化学计量比接近1:1，稳定性更强。
| 化学成分（典型值） | 物理特性(典型值) | ||
| SiC | ≥99% | 密度 | ≥3.18g/cm3 |
| F.C | ≤0.20% | 莫氏硬度 | 9.5 |
| Fe2O3 | ≤0.40% | 熔点 | 2250℃ |
| SiO2 | ≤0.05% | 磁性物含量 | ≤0.017% |
黑碳化硅（SiC）
纯度较低（约95%~98%），含较多杂质（如铁、铝等金属氧化物及游离碳）。
杂质可能成为腐蚀反应的活性位点，降低耐蚀性。
| 化学成分（典型值） | 物理特性(典型值) | ||
| SiC | ≥98% | 密度 | ≥3.12g/cm3 |
| F.C | ≤0.20% | 莫氏硬度 | 9.15 |
| Fe2O3 | ≤0.40% | 熔点 | 2250℃ |
| SiO2 | ≤0.05% | 磁性物含量 | ≤0.025% |
2. 耐腐蚀性能对比
酸性环境
两者在常温下对非氧化性酸（如盐酸、稀硫酸）均有较好耐蚀性，因SiC表面会形成钝化层。
在氧化性酸（如浓硫酸、硝酸）或高温酸性环境中，绿碳化硅表现更优，因其高纯度减少了杂质参与的副反应。
碱性环境
SiC在强碱（如NaOH、KOH）中会缓慢腐蚀，尤其是高温下。
绿碳化硅腐蚀速率更低，因杂质少，不易与碱发生反应。
高温氧化
在高温（>800°C）氧化性气氛中，两者表面均会生成二氧化硅（SiO₂）保护膜。
绿碳化硅的氧化膜更致密，因杂质少，膜层完整性更好，抗氧化性更强。
熔融金属/盐腐蚀
在熔融金属（如铝、铜）或盐浴中，绿碳化硅更耐侵蚀，杂质少的特性减少了界面反应。
3. 关键影响因素
杂质含量：黑碳化硅中的金属杂质可能加速电化学腐蚀或与介质反应。
晶体缺陷：绿碳化硅晶体结构更完整，缺陷少，腐蚀介质不易渗透。
应用场景：在强腐蚀、高温或高纯度要求环境（如化工、半导体），绿碳化硅是更优选择；黑碳化硅成本低，适合一般工业用途（如磨料、耐火材料）。
